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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.6
- 수록면
- 331 - 334 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
1998
1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )
강희원
,
전현성
,
노병규
외 4명
대한전자공학회 학술대회
1998.07
학술대회자료
1MeV 고에너지로 붕소(Boron)와 인(Phosphorus)을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일
강희원
,
전현성
,
노병규
외 4명
대한전자공학회 학술대회
1998.06
학술대회자료
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목차
1. 요약
2. 서론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 결론
參考文獻
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1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
-
MeV 이온빔 분석 기술
고분자 과학과 기술
2003 .02
-
실리콘에 MeV로 이온주입된 As 와 Sb의 profile과 열처리에의한 이온의 거동에 관한 연구 ( A Study of Profiles and annealing behavior of As and Sb by MeV implantation in silicon )
전자공학회논문지-D
1998 .03
-
실리콘에 붕소의 고에너지 이온주입에 의한 농도분포에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2002 .01
-
MeV 이온주입에 의한 $P^{+}$ Buried Layer 형성시 발생하는 결함에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
MeV $B^+$ 이온주입에 의한 Self-Gettering 효과
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
-
MeV 이온주입된 실리콘의 열처리시 불순물과 이차결함간의 상호작용
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
-
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전기전자학회논문지
1998 .08
-
Study on Microdefect Characteristics Analysis by RTA in 1MeV P Ion Implantation for High Memory Devices
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
-
MeV 이온주입에 의해 형성된 Retrograde Triple well에서 발생하는 결함들의 상호작용
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
-
RTA에 적용이 가능한 붕소 확산 시뮬레이터의 제작 ( Design of Boron Diffusion Simulator Applicable for RTA )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
RTA에 적용이 가능한 붕소 확산 시뮬레이터의 제작
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
-
고전 분자 동 역학 시뮬레이션을 이용한 실리콘 격자 손상과 극 저 에너지 붕소 이온 주입에 관한 연구
전자공학회논문지-D
1998 .12
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원자로 기기 열수력 해석 코드에서 붕소 수송 방정식의 구현
한국전산유체공학회지
2013 .12
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이온 주입된 프로파일의 3-D의 해석적인 모델에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2012 .01
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< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
전자공학회논문지-A
1995 .08
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1 MeV argon 이온주입에의해 유기된 결함 및 회복기구의 XTEM 분석 ( XTEM Study of 1 MeV Ion Implantation Induced Defects in Si and Their Annealing Behavior )
전자공학회논문지-A
1993 .08
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붕소가 도핑된 다이아몬드 전극을 이용한 오존 발생의 효과 및 응용
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
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붕소가 도핑된 실리콘 박막의 잔류응력으로 인한 변형에 관한 실험적 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .07
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A Critical Behavior of Defect Density as a Function of Ion Dose During the Buried Layer Formation Using 1.5 MeV B Implantations
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
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