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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
조근호 (Seokyeong University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제27권 제1호
발행연도
2023.3
수록면
65 - 70 (6page)

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높은 캐리어 이동도, 큰 포화 속도, 낮은 고유 정전 용량, 유연성, 그리고 투명성을 장점으로 가진 CNTFET(Carbon NanoTube Field Effect Transistor) 10,000개 이상을 현존하는 반도체 디자인 절차와 공정 프로세서를 활용하여 하나의 반도체 칩에 집적하는데 성공하였다. 제작된 반도체 칩의 3차원 다층 구조와 다양한 CNTFET 생산 공정 연구는 기존 MOSFET과 CNTFET를 하나의 반도체 칩에 함께 사용하는 hybrid MOSFET-CNTFET 반도체 칩 제작에 대한 가능성을 보여주고 있다. 본 논문에서는 hybrid MOSFET-CNTFET을 활용한 6T binary SRAM을 디자인하는 방법에 대해 논하고자 한다. 기존 MOSFET SRAM 또는 CNTFET SRAM 디자인 방법을 활용하여 hybrid MOSFET-CNTFET SRAM을 디자인 하는 방법을 소개하고 그 성능을 기존 MOSFET SRAM 그리고 CNTFET SRAM과 비교하고자 한다.
#MOSFET #CNTFET #SRAM #Hybrid #Carbon Nabotube

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

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