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논문 기본 정보
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- 발행연도
- 2021.11
- 수록면
- 94 - 99 (6page)
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Many researcher are conducting SRAM Memory research on the system structure that requires noise-strong SRAM cells.
In this paper, a new circuit structure is proposed to ensure static noise margin and optimize low power consumption and low area layout design, and the related specifications are confirmed by simulation experiments through 16X16 arrays.
As a result of simulation and layout design, the power consumption of the top architecture using the SRAM structure to be proposed was 1.8428㎼ based on the 10 ㎒ operating frequency, and the layout size was 199 ∗ 230𝑢²
In this paper, a new circuit structure is proposed to ensure static noise margin and optimize low power consumption and low area layout design, and the related specifications are confirmed by simulation experiments through 16X16 arrays.
As a result of simulation and layout design, the power consumption of the top architecture using the SRAM structure to be proposed was 1.8428㎼ based on the 10 ㎒ operating frequency, and the layout size was 199 ∗ 230𝑢²
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험 및 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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