Effect of Double Schottky Barrier in Gallium-Zinc-Oxide Thin Film

오데레사

doi:https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.6.323

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오데레사 (청주대학교)

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제6호

발행연도: 2017.12

수록면: 323 - 329 (7page)

DOI: https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.6.323

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This reports the electrical behavior, bonding structure and Schottky contact of gallium-zinc-oxide (GZO) thin film annealedat 100~400℃. The mobility of GZO with high density of PL spectra and crystal structure was also increased because of thestructural matching between GZO and Si substrate of a crystal structure. However, the GZO annealed at 200℃ with anamorphous structure had the highest mobility as a result of a band to band tunneling effect. The mobility of GZO treated atlow annealing temperatures under 200℃ increased at the GZO with an amorphous structure, but that at high temperaturesover 200℃ also increased when it was the GZO of a crystal structure. The mobility of GZO with a Schottky barrier (SB) wasmostly increased because of the effect of surface currents as well as the additional internal potential difference.

#GZO #PL spectra #Schottky barrier #XPS #Tunneling

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Teresa Oh / 2010 / Study on Characteristic Properties of Annealed SiOC Film Prepared by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition / IEEE Transactions on Plasma Science 38(7):1598~1602

Teresa Oh / 2010 / Comparison between SiOC Thin Films Fabricated by Using Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition and SiO2 Thin Films by Using Fourier Transform Infrared Spectroscopy / Journal of the Korean Physical Society 56(4):1150~1155

Teresa Oh / 2014 / Depletion Effect of Oxide Semiconductor Analyzed by Hall Effects / Journal of Nanoscience and Nanotechnology 14(12):9047~9050

J. Maserjian / 1982 / Behavior of the Si/SiO2 interface observed by Fowler‐Nordheim tunneling / Journal of Applied Physics 53(1):559~567

Chun-Chieh Lo / 2012 / Preparation of IGZO sputtering target and its applications to thin-film transistor devices / Ceramics International 38(5):3977~3983

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