XRD의 결정구조로 살펴본 GZO 박막의 온도의존성

오데레사

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오데레사 (청주대학교 반도체공학과)

저널정보: 한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제15권 제1호

발행연도: 2016.1

수록면: 52 - 55 (4page)

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GZO film was prepared on p-type Si wafer and then annealed at various temperatures in an air conditions to research the bonding structures in accordance with the annealing processes. GZO film annealed in an atmosphere showed the various bonding structure depending on annealing temperatures and oxygen gas flow rate during the deposition. The difference of bonding structures of GZO films made by oxygen gas flows between 18 sccm and 22 sccm was so great. The bonding structures of GZO films made by oxygen gas flow of 18 sccm were showed the crystal structure, but that of 22 sccm were showed the amorphous structure in spite of after annealing processes. The bonding structure of GZO as oxide-semiconductor was observed the trend of becoming amorphous structures at the temperature of $200^{\circ}C$. Therefore, the characteristics of oxide semiconductor are needed to research the variation near the annealing at $200^{\circ}C$.

#GZO #XRD #Crystal structure #Amorphous structure #Annealing

참고문헌 (12)

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오데레사 / 2014 / 쇼키컨텍에 의한 박막형 트랜지스터의 전기적 특성 / 한국재료학회지 24(3):135~139

Tun, C. J. / 2006 / Enhanced Light Output of GaN-ased Power LEDs With Transparent AlDoped AZO Current Spreading Layer / IEEE Photon. Technol. Lett 18:274~276

유덕연 / 2014 / ZnO 박막트랜지스터의 어닐링 조건에 따른 전류 변화 / 반도체디스플레이기술학회지 13(1):63~66

오데레사 / 2015 / SiOC 절연박막 특성에 의존하는 ITO 투명박막의 전기적인 특성과 오믹접합의 효과 / 한국재료학회지 25(7):352~357

Kenji Nomura / 2011 / Highly stable amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors produced by eliminating deep subgap defects / Appl 99

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