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자료유형
학술저널
저자정보
Cheon, Dongkeun (School of Materials Science and Engineering, Changwon National University) Ahn, Kyung-Jun (SNTEK Co. Ltd.) Lee, Woong (School of Materials Science and Engineering, Changwon National University)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제27권 제2호
발행연도
2017.1
수록면
69 - 75 (7page)

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To establish low-temperature process conditions, process-property correlation has been investigated for Ga-doped ZnO (GZO) thin films deposited by pulsed DC magnetron sputtering. Thickness of GZO films and deposition temperature were varied from 50 to 500 nm and from room temperature to $250^{\circ}C$, respectively. Electrical properties of the GZO films initially improved with increase of temperature to $150^{\circ}C$, but deteriorated subsequently with further increase of the temperature. At lower temperatures, the electrical properties improved with increasing thickness; however, at higher temperatures, increasing thickness resulted in deteriorated electrical properties. Such changes in electrical properties were correlated to the microstructural evolution, which is dependent on the deposition temperature and the film thickness. While the GZO films had c-axis preferred orientation due to preferred nucleation, structural disordering with increasing deposition temperature and film thickness promoted grain growth with a-axis orientation. Consequently, it was possible to obtain a good electrical property at relatively low deposition temperature with small thickness.
#ZnO #transparent conductive oxide #pulsed DC magnetron sputtering

목차

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참고문헌 (19)

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K. Ellmer / 2008 / Transparent Conductive Zinc Oxide / Springer :1~34 google schola B. G. Lewis / 2000 / MRS Bullet 25:22 google schola P. P. Edwards / 2004 / Dalton Trans 2004:2995 google schola A. Kumar / 2010 / ACS Nano 4:11 google schola Z. Chen / 2001 / Thin Solid Films 394:201 google schola

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