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저자정보
SHAIKHMOHAMMAD IFTIQUAR (성균관대학교) Junsin YI (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제18권 제2호
발행연도
2017.4
수록면
70 - 73 (4page)
DOI
https://doi.org/10.4313/TEEM.2017.18.2.70

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We investigated n-i-p type single junction hydrogenated amorphous silicon oxide solar cells. These cells were withoutfront surface texture or back reflector. Maximum power point efficiency of these cells showed that an optimized devicestructure is needed to get the best device output. This depends on the thickness and defect density (Nd) of the activelayer. A typical 10% photovoltaic device conversion efficiency was obtained with a Nd = 8.86×1015 cm-3 defect densityand 630 nm active layer thickness. Our investigation suggests a correlation between defect density and active layerthickness to device efficiency. We found that amorphous silicon solar cell efficiency can be improved to well above10%.

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