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Duy Phong Pham (Sungkyunkwan University) Sunhwa Lee (Sungkyunkwan University) Sehyeon Kim (Sungkyunkwan University) Donghyun Oh (Sungkyunkwan University) Muhammad Quddamah Khokhar (Sungkyunkwan University) Sangho Kim (Sungkyunkwan University) Jinjoo Park (Cheongju University) Youngkuk Kim (Sungkyunkwan University) Eun-Chel Cho (Sungkyunkwan University) Young-Hyun Cho (Sungkyunkwan University) Junsin Yi (Sungkyunkwan University)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research Vol.7 No.3
발행연도
2019.9
수록면
76 - 84 (9page)

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Silicon heterojunction solar cells (SHJ) have dominated the photovoltaic market up till now but their conversion performance is practically limited to around 26% compared with the theoretical efficiency limit of 29.4%. A silicon based multi-junction devices are expected to overcome this limitation. In this report, we briefly review the state-of-art characteristic of wide-gap materials which has played a role as top sub-cells in silicon based multi-junction solar cells. In addition, we indicate significantly practical challenges and key issues of these multi-junction combination. Finally, we focus to some characteristics of III-V/c-Si tandem configuration which are reaching highly record performance in multi-junction silicon solar cells.

목차

ABSTRACT
1. Introduction
2. The state-of-art characteristic of wide-gap materials
3. Characteristic of high efficiency multi-junctionIII-V/Si solar cells
4. Conclusions
References

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