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저자정보
김영곤 (동의대학교) 최수훈 (동의대학교) 이채영 (동의대학교) 최정민 (동의대학교) 박미선 (동의대학교) 장연숙 (동의대학교) 정성민 (한국세라믹기술원) 이명현 (한국세라믹기술원) 김영희 (한국세라믹기술원) 서원선 (한국세라믹기술원) 이원재 (동의대학교)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제27권 제3호
발행연도
2017.6
수록면
130 - 134 (5page)
DOI
https://doi.org/10.6111/JKCGCT.2017.27.3.130

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본 연구는 SiC 용액 성장에서 Cr 40 %가 첨가된 Si melt 내부의 용액과 탄소흐름의 변화를 수치적으로 분석하여 장시간 성장과 고품질의 SiC 단결정을 얻기 위한 최적공정 조건의 설계를 목적으로 진행하였다. 수치 시뮬레이션으로는crystal growth simulator (CGSim TM , STR Group Ltd.)가 사용되었다. 결과적으로, 성장온도, 종자정축과 도가니축의 회전속도및 성장 시 종자정의 위치에 따라 melt내부의 용액 흐름과 탄소흐름의 속도 및 방향이 변화함으로써 더 균일한 온도구배를형성하여 안정적인 성장이 이루어지는 조건을 확인하였다. 그러므로, 성장조건들을 조절함으로써 시뮬레이션 상에서 실험조건의 최적화가 가능하였고 향후 실제 실험에서도 많은 도움이 될 것으로 예상된다.
#Solution growth #Silicon carbide #CGSim #Carbon flow #Solution flow #Numerical simulation

목차

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I. D. Matukov / 2004 / Modeling of facet formation in SiC bulk crystal growth / J. Crystal Growth 266:313 google schola Yu. M. Tairov / 1981 / General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes / J. Crystal Growth 52:146 google schola Y. Chen / 2009 / Studies of the distribution of elementary threading screw dislocations in 4H silicon carbide wafer / Mater. Sci. Forum 600-603:301 google schola K. Kamei / 2012 / Crystallinity evaluation of 4H-SiC single crystal grown by solution growth technique using Si-Ti-C solution / Mater. Sci. Forum 717-720:45 google schola K. Kusunoki / 2014 / Top-seeded solution growth of 3 inch diameter 4H-SiC bulk crystal using metal solvents / Mater. Sci. Forum 778-780:79 google schola

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