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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김정희 (동의대학교) 김우연 (동의대학교) 박미선 (동의대학교) 장연숙 (동의대학교) 이원재 (동의대학교)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제31권 제2호
발행연도
2021.1
수록면
63 - 68 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2021

PVT법에 의한 SiC 단결정 성장에서 NbC 코팅된 도가니의 영향
김정희 신소재공 2021.01 학위논문
NbC 코팅된 도가니를 사용한 고품질의 SiC 단결정 성장
김정희 ,  김우연 ,  박미선 외 2명 한국결정성장학회지 2021.01 학술저널

초록· 키워드

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본 연구에서는 NbC 코팅된 도가니가 SiC 단결정 품질에 미치는 영향을 조사하였다. 실험은 흑연 도가니와NbC 코팅된 도가니를 사용하였으며, 두 실험의 결과를 체계적으로 비교 분석하였다. SiC 결정 성장은 Ar 분위기에서2300°C 이상의 온도와 5 Torr의 압력조건에서 PVT 법을 사용하여 진행하였다. 성장된 SiC 결정은 양면 그라인딩과 연마 가공 후 Raman 분석을 통해 결정상 분석, HR-XRD 분석으로 결정성을 분석하였다. 또한 KOH 에칭 후 광학현미경 분석과SIMS 분석으로 결함 밀도 및 불순물 농도를 분석하여 두 웨이퍼의 품질을 비교하였다.

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참고문헌 (13)

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S. Ji / 2017 / Overview of high voltage SiC power semiconductor devices : Development and application / IEEE Xplore 1:254 google schola J. Millan / 2013 / A survey of wide bandgap power semiconductor devices / IEEE Xplore 29:2155 google schola J. Biela / 2010 / SiC versus Si—Evaluation of potentials for performance improvement of inverter and DC–DC converter systems by SiC power semiconductors / IEEE Xplore 58:2872 google schola 신윤지 / 2011 / KOH Etching을 통한 4H-SiC Epitaxy 박막에서의 전위결함 거동 / 전기전자재료학회논문지 24(10):779~783 dbpia P. G. Neudeck / 2000 / Electrical impact of SiC structural crys-tal defects on high electric field devices / Mat. Sci. Forum 338:1161 google schola

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