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나준혁 (동의대학교) 강민규 (동의대학교) 이기욱 (동의대학교) 최예진 (동의대학교) 박미선 (동의대학교) 정광희 (동의대학교) 이규도 (KC 인더스트리얼) 김우연 (KC 인더스트리얼) 이원재 (동의대학교)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제34권 제2호
발행연도
2024.4
수록면
41 - 47 (7page)
DOI
10.6111/JKCGCT.2024.34.2.041

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본 연구에서는 SiC(Silicon Carbide) 분말의 순도와 결정 성장 후 냉각 속도를 제어하여 PVT(Physical Vapor Transport) 방법으로 성장한 4인치 HPSI(High-Purity Semi-Insulating)-SiC 단결정의 저항 특성을 조사하였다 . 순도가 다른 2개의 β-SiC 분말을 사용하였고, 성장 후 냉각 속도를 조절하여 다양한 저항값을 얻었다. 성장된 결정의 투과 /흡수 스펙트럼 및 결정 품질은 각각 UV/VIs/NIR 분석과 XRD Rocking curve 분석을 이용하였으며, 비접촉 비저항 분석을 통해 전기적 특성을 조사하여 비저항 특성에 우세한 영향을 미치는 주요 요인을 확인하였다.
#HPSI-SiC #Intrinsic point defects #Resistivity #PVT

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