저항가열 방식을 적용한 승화법에 의한 SiC 결정 성장에 대한 연구

강승민

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자료유형: 학술저널

저자정보: 강승민

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제25권 제3호

발행연도: 2015.1

수록면: 85 - 92 (8page)

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SiC 결정은 전력반도체 소자용 소재로서 지금까지 외국은 물론 국내에서도 많은 연구가 이루어지고 있으며, 지금까지 고주파 유도가열 방식을 이용한 승화법으로 성장되어 왔다. 그러나, SiC 단결정은 결정 성장 계면에서의 온도 안정성에 따라 쉽게 다른 다형으로 성장하기 때문에, 고품질의 결정을 얻기 위해서는 결정성장 계면에서의 안정적인 온도 구배가 필요하다. 본 논문에서는 저항가열 방식을 이용한 승화법 성장 장치를 이용하여 종자결정을 사용하지 않은 상태에서SIC 다결정상을 성장하여 보고, 성장 양상에 대하여 고찰하고자 하였다. SiC 다결정상은 성장속도 0.02~0.5 mm/hr로 성장되었으며, 성장된 SiC 다결정상의 두께는 0.25 mm~0.5 mm이고, 이 때 도가니 하부의 온도는 2100~2300oC, 성장 압력은 10~ 760 torr의 범위에서 조절되었다. 성장된 다결정상 결정은 광학현미경으로 관찰하여, 성장 거동을 고찰하였다.

#Resistant heating method #SiC #Crystal #Growth

참고문헌 (13)

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A.O. Klein / 2003 / Transient numerical investigation of induction heating during sublimation growth of silicon carbide single crystals / J. Crystal Growth 247 : 219 ~

B. Gao / 2014 / Optimization of power control in the reduction of basal plane dislocations during PVT growth of 4H-SiC single crystals / J. Crystal Growth 392 : 92 ~

H. Li / 2003 / Factors affecting the graphitization behavior of the powder source during seeded sublimation growth of SiC bulk crystal / J. Crystal Growth 258 : 100 ~

J. Su / 2014 / Numerical design of induction heating in the PVT growth of SiC crystal / J. Crystal Growth 401 : 128 ~

K. Kakimoto / 2011 / Thermodynamic analysis of SiC polytype growth by physical vapor transport method / J. Crystal Growth 324 : 78 ~

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