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자료유형
학술저널
저자정보
황용식 (충남대학교) 강일석 (나노종합기술원) 이가원 (충남대학교)
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제31권 제1호
발행연도
2022.1
수록면
36 - 40 (5page)

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High-power devices, such as LEDs and radars, inevitably generate a large amount of heat, which is the main cause of shortening lifespan, deterioration in performance, and failure of electronic devices. The embedded IC process can be a solution; however, when applied to large-area substrates (larger than 8 in), there is a limit owing to the difficulty in the process after wafer thinning. In this study, an 8-in wafer-level high-power electronic package based on the embedded IC process was implemented with temporary bonding and debonding technology using double-sided thermal release tape. Good heat-dissipation characteristics were demonstrated both theoretically and experimentally. These findings will advance the commercialization of high-power electronic packaging.
#Electronic package #Wafer-level package #Heat dissipation #Temporary bonding and debonding #Embedded IC process

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