High-quality SiN<SUB>x</SUB> thin film growth at 300 ℃ using atomic layer deposition with hollow cathode plasma

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저자정보: Jae Chan Park (Hanyang University) Dae Hyun Kim (Hanyang University) Tae Jun Seok (Hanyang University) Dae Woong Kim (Hanyang University) Ji-Hoon Ahn (Hanyang University) Woo-Hee Kim (Hanyang University) Tae Joo Park (Hanyang University)

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#silicon nitride #atomic layer deposition #remote plasma source #hollow cathode plasma

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