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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
고은총 (서울과학기술대학교) 안지상 (서울과학기술대학교) 한정환 (서울과학기술대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제55권 제6호
발행연도
2022.12
수록면
328 - 341 (14page)

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Area selective atomic layer deposition (AS-ALD) is a bottom-up nanopattern fabrication method that can grow the ALD films only on the desired substrate areas without using photolithography and etching processes. Particularly, AS-ALD has attracted great attention in the semiconductor manufacturing process due to its advantage in reducing edge placement error by fabricating self-aligned patterns. In this paper, the basic principles and characteristics of AS-ALD are described. In addition, various approaches for achieving AS-ALD with excellent selectivity were comprehensively reviewed. Finally, the technology development to overcome the selectivity limit of AS-ALD was introduced along with future prospects.

목차

Abstract
1. 서론
2. 영역 선택적 원자층증착법의 원리 및 특성
3. 영역 선택적 원자층증착법의 다양한 접근법
4. 결론 및 전망
References

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