지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
DBpia Top 5%동일한 주제분류 기준으로최근 2년간 이용수 순으로 정렬했을 때
해당 논문이 위치하는 상위 비율을 의미합니다.
초록· 키워드
오류제보하기
Since the first report on ferroelectricity in Si-doped hafnia (HfO₂), this emerging ferroelectrics have been considered promising for the next-generation semiconductor devices with their characteristic nonvolatile data storage. The robust ferroelectricity in the sub-10-nm thickness regime has been proven by numerous research groups. However, extending their scalability below the 5 nm thickness with low temperature processes compatible with the back-end-of-line technology. In this review, therefore, the current status, technical issues, and their potential solutions of atomic layer deposition (ALD) of HfO₂-based ferroelectrics are comprehensively reviewed. Several technical issues in the physical scaling of the ferroelectric thin films and potential solutions including advanced ALD techniques including discrete feeding ALD, atomic layer etching, and area selective ALD are introduced.
목차
Abstract
1. 서론
2. 원자층 증착법을 이용한 강유전성 산화 하프늄 (HfO₂) 박막의 증착
3. HfO₂ 강유전체 기반 반도체 소자가 당면한 과제와 그 해결책
4. 결론
REFERENCE
참고문헌 (38)
참고문헌 신청
M. H. Park,Y. H. Lee, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, J. Müller, A. Kersch, U. Schroeder, T. Mikolajick, C. S. Hwang, Ferroelectricity and antiferroelectricity of doped thin HfO2-based films, Adv. Mater., 27 (2015) 1811–1831.
T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, Ferroelectricity in hafnium oxide thin films, Appl. Phys. Lett., 99 (2011) 102903.
O. Ohtaka, H. Fukui, T.Kunisada, T. Fujisawa, K. Funakoshi, W. Utsumi, T. Irifune, K. Kuroda, T. Kikegawa, Phase relations and volume changes of hafnia under high perssure and high temperature, J. Am. Ceram. Soc., 84 (2004) 1369–1373.
J. Müller, E. Yurchuk, T. Schlösser, J. Paul, R. Hoffmann, S. Müller, D. Martin, S. Slesazeck, P. Polakowski, J. Sundqvist, M. Czernohorsky, K. Seidel, P. Kücher, R. Boschke, M. Trentzsch, K. Gebauer, U. Schröder, T. Mikolajick, Ferroelectricity in HfO2 enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG, 2012 Symp. VLSI Technol., (2012) 25-26.
J. Müller, T. S. Böscke, S. Müller, E. Yurchuk, P. Polakowski, J. Paul, D. Martin, T. Schenk, K. Khullar, A. Kersch, W. Weinreich, S. Riedel, K. Seidel, A. Kumar, T. M. Arruda, S. V. Kalinin, T. Schlösser, R. Boschke, R. van Bentum, U. Schröder, T. Mikolajick, Ferroelectric hafnium oxide: a CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories, 2013 IEEE Int. Electron Devices Meet., (2013) 10.8.1-10.8.4.
T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, Ferroelectricity in hafnium oxide thin films, Appl. Phys. Lett., 99 (2011) 102903.
O. Ohtaka, H. Fukui, T.Kunisada, T. Fujisawa, K. Funakoshi, W. Utsumi, T. Irifune, K. Kuroda, T. Kikegawa, Phase relations and volume changes of hafnia under high perssure and high temperature, J. Am. Ceram. Soc., 84 (2004) 1369–1373.
J. Müller, E. Yurchuk, T. Schlösser, J. Paul, R. Hoffmann, S. Müller, D. Martin, S. Slesazeck, P. Polakowski, J. Sundqvist, M. Czernohorsky, K. Seidel, P. Kücher, R. Boschke, M. Trentzsch, K. Gebauer, U. Schröder, T. Mikolajick, Ferroelectricity in HfO2 enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG, 2012 Symp. VLSI Technol., (2012) 25-26.
J. Müller, T. S. Böscke, S. Müller, E. Yurchuk, P. Polakowski, J. Paul, D. Martin, T. Schenk, K. Khullar, A. Kersch, W. Weinreich, S. Riedel, K. Seidel, A. Kumar, T. M. Arruda, S. V. Kalinin, T. Schlösser, R. Boschke, R. van Bentum, U. Schröder, T. Mikolajick, Ferroelectric hafnium oxide: a CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories, 2013 IEEE Int. Electron Devices Meet., (2013) 10.8.1-10.8.4.
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
R2R 기반 공간분할형 원자층 증착(ALD) 시스템에 관한 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .10
-
표면 반응 제어를 통한 영역 선택적 원자층 증착법 연구 동향
한국표면공학회지
2022 .12
-
소형 원자층 증착 장치
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .05
-
Bandgap Control of Sn1-xMgxO Semiconductor Thin Film by MgO Cycle Ratio Control in Atomic Layer Deposition Method
AFORE
2023 .11
-
신규 Hf 전구체를 이용한 고온 ALD HfO₂ 박막의 불순물 특성 개선
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2022 .06
-
원자층증착법으로 증착된 강유전성 플루오라이트 구조 강유전체 박막의 불순물 효과
한국표면공학회지
2020 .08
-
홈메이드 ALD(atomic layer deposition)의 제작과 알루미늄 옥사이드의 제작
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
원자층 증착법을 이용한 폴리머 전해질 교환막 연료전지 소재 연구 동향
한국표면공학회지
2025 .02
-
Al 도핑된 HfO₂ 기반 Metal-Ferroelectric-Metal 소자의 endurance 특성 분석 연구
대한전자공학회 학술대회
2023 .06
-
Tunable RF 기기 적용을 위한 ALD-HfO₂의 마이크로파 대역 강유전체 특성 고찰
전기전자학회논문지
2018 .09
-
공간 분할형 상압 원자층 증착 시스템 개발
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2017 .04
-
저온 ALD/MLD 를 이용한 유기-무기 하이브리드 기체 투과 방지막 특성 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2018 .10
-
상압 기반의 공간분할형 원자층 증착(ALD) 시스템 개발
대한기계학회 춘추학술대회
2016 .12
-
Metal-Ferroelectric-Metal Structure for FeFET: Empowering High Performance in Data Storage Technology
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2024 .08
-
Atomic Layer Deposition for Energy Conversion and Storage Devices
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2019 .11
-
ALD 공정에서의 플라즈마 응용
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2015 .05
-
Atomic Layer Deposition for Electrochemical Applications
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2021 .06
-
Enhanced Selectivity on Area-Selective Atomic Layer Deposition by Using Short-Chain Alkylating Inhibitors
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2021 .12
-
멀티 슬릿 ALD 헤드를 이용한 저온·상압 원자층 박막 증착 공정 기술 개발
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2017 .04
-
고 유전물질을 절연체 박막으로 적용한 금속-강유전체-절연체-금속 구조의 강유전체 터널링 접합 특성 분석
전자공학회논문지
2022 .06
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
Enhanced Ferroelectricity and Alleviated Depolarization in Ultra-thin Hf0.5Zr0.5O₂-based MFIS capacitor by Interface Engineering
Se Hyun Kim
,
Hyun Woo Jeong
,
Kun Yang
외 6명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2022
.11
베이비붐세대와 에코(echo)세대의 소득 및 소비생활 특성과 시사점
손지연
소비자정책동향
2015
.11
The Effects of the W Electrode on Ferroelectricity and Wake-Up Effect of Hf0.5Zr0.5O₂ Thin Films
Kun Yang
,
Gi-Yeop Kim
,
Dong Hyun Lee
외 10명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2022
.06
A comprehensive study on the electrical properties of Hf1-xZrxO₂ thin films with various thicknesses and compositions on Mo electrode
Ju Yong Pa
,
k
,
Se Hyun Kim
외 6명
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2022
.06
[UNIST] 원자 단위 반도체, 소재별 맞춤형 공정으로 균일하게 만든다
서재창
전자기술
2024
.06
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2023-581-000186361