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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 62 - 62 (1page)
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As the Si-based semiconductor industry goes into the sub-10 nm scale of its physical limit, conventional patterning processes, based on photolithography and etching, are facing fundamental limits for device downscaling. Accordingly, the deposition of atoms at specific locations on a desired surface can boost advances in catalysis, energy harvesting as well as semiconductor device fabrication. Of several paths being explored for novel bottom-up nanopatterning, area-selective atomic layer deposition (AS-ALD) is attracting increasing interest because of its ability to enable both continued dimensional scaling and accurate pattern placement for next-generation nanoelectronics. In this talk, we first explore general approaches and fundamental limitation of AS-ALD using self-a ... 전체 초록 보기
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