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The ferroelectricity in emerging fluorite-structure oxides such as HfO₂ and ZrO₂ has attracted increasing interest since 2011. Different from conventional ferroelectrics, the fluorite-structure ferroelectrics could be reliably scaled down below 10 nm thickness with established atomic layer deposition technique. However, defects such as carbon, hydrogen, and nitrogen atoms in fluorite-structure ferroelectrics are reported to strongly affect the nanoscale polymorphism and resulting ferroelectricity. The characteristic nanoscale polymorphism and resulting ferroelectricity in fluorite-structure oxides have been reported to be influenced by defect concentration. Moreover, the conduction of charge carriers through fluorite-structure ferroelectrics is affected by impurities. In this review, the origin and effects of various kinds of defects are reviewed based on existing literature.
목차
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References
참고문헌 (48)
참고문헌 신청
T. S. Boscke, J. Muller, D. Brauhaus, U. Schroder, U. Bottger, Ferroelectricity in hafnium oxide thin films, Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 102903.
M.H. Park, Y.H. Lee, H.J. Kim, Y.J. Kim, T. Moon, K.D. Kim, J. Muller, A. Kersch, U. Schroeder, T. Mikolajick, C.S. Hwang, Ferroelectricity and Antiferroelectricity of Doped Thin HfO2?Based Films, Adv. Mater. 27 (2015) 1811-1831.
M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Thin Hfx Zr1?x O2 Films: A New Lead?Free System for Electrostatic Supercapacitors with Large Energy Storage Density and Robust Thermal Stability. Adv. Energy Mater., 4 (2014) 1400610.
M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Toward a multifunctional monolithic device based on pyroelectricity and the electrocaloric effect of thin antiferroelectric HfxZr1?xO2 films, Nano Energy, 12 (2015) 131-140.
M. H. Park, T. Schenk, M. Hoffmann, S. Knebel, J. Gartner, T. Mikolajick, U. Schroeder. Effect of acceptor doping on phase transitions of HfO2 thin films for energy-related applications. Nano Energy, 36 (2017) 381-389.
M.H. Park, Y.H. Lee, H.J. Kim, Y.J. Kim, T. Moon, K.D. Kim, J. Muller, A. Kersch, U. Schroeder, T. Mikolajick, C.S. Hwang, Ferroelectricity and Antiferroelectricity of Doped Thin HfO2?Based Films, Adv. Mater. 27 (2015) 1811-1831.
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M. H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim, T. Moon, K. D. Kim, C. S. Hwang, Toward a multifunctional monolithic device based on pyroelectricity and the electrocaloric effect of thin antiferroelectric HfxZr1?xO2 films, Nano Energy, 12 (2015) 131-140.
M. H. Park, T. Schenk, M. Hoffmann, S. Knebel, J. Gartner, T. Mikolajick, U. Schroeder. Effect of acceptor doping on phase transitions of HfO2 thin films for energy-related applications. Nano Energy, 36 (2017) 381-389.
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