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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 143 - 148 (6page)
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Thin-film transistors (TFTs) were fabricated by employing amorphoushafnium indium zinc oxide (HIZO) thin films as the active channellayer by the solution process. Thermogravimetry-differential thermalanalysis, transmittance measurements, atomic force microscopy,scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and Fourier transforminfrared analysis were used to study the formation, structure, andoptical properties of the HIZO films. The results showed that theaddition of Hf to the IZO system resulted in suppression of carriergeneration. The HIZO TFTs exhibited lower off-currents and higher onoffcurrent ratios than IZO TFTs without Hf doping. HIZO TFTs with aHf doping content of 5 at. % obtained a threshold voltage of 3.7 V, amobility of 0.27 cm2 V−1 s−1, a subthreshold swing of 1.2 V/dec, and anon-off current ratio of 106.
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