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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.3
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 315 - 320 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2018.18.3.315
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We report on thin-film transistors (TFTs) with indium zinc oxide (IZO) channel layers fabricated via a pre-annealing process at various temperatures. The solution-processed IZO semiconductor matched the pre-annealing well at temperatures as low as 120 °C, and showed good performance: field-effect mobility of 7.9 ㎠/Vs, threshold voltage of 1.4 V, subthreshold slope of 0.48 V/dec, and a current on/off ratio of 2.9 x 10<SUP>7</SUP>. To investigate the static response of IZO TFTs with preannealing at 120 °C, simple resistor load–type inverters were fabricated by connecting a resistor (10 MΩ).
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS AND DISCUSSION
III. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (26)
참고문헌 신청
H. Q. Chiang, et al., “High mobility transparent thin-film transistors with amorphous zinc tin oxide channel layer,” Appl. Phys. Lett. , vol. 86, no. 1, p. 013503, 2005.
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