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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.7
- 수록면
- 432 - 436 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.7.432
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산화물 반도체를 저전압에서 구동시키기 위해서 고 유전율인 Al2O3를 ALD롤 증착한 용액 공정 기반의 IZO 산화물 트랜지스터를 제작하여 전기적인 특성을 평가하였다. Al2O3를 증착한 소자가 기존의 SiO2 절연막 소자보다 gate bias에 의한 전기적 신뢰성 평가 시 문턱전압이 0 V에 가깝고, 낮은 전압에서도 기존과 같은 반도체 특성을 보이며, on/off ratio도 높게 나타나는 것을 확인할 수 있었다.
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E. M. C. Fortunato / 2005 / Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistor Produced at Room Temperature / Advanced Materials 17(5):590~594
Kenji Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432(7016):488~492
Felix Jaehnike / 2015 / High-Quality Solution-Processed Silicon Oxide Gate Dielectric Applied on Indium Oxide Based Thin-Film Transistors / ACS Applied Materials & Interfaces 7(25):14011~14017
Minkyu Kim / 2007 / High mobility bottom gate InGaZnO thin film transistors with SiOx etch stopper / Applied Physics Letters 90(21):212114
Maarten Rockelé / 2012 / Solution-processed and low-temperature metal oxide n-channel thin-film transistors and low-voltage complementary circuitry on large-area flexible polyimide foil / Journal of the Society for Information Display 20(9):499~507
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