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Fei Shan (Chungbuk National University) Jae-Yun Lee (Chungbuk National University) Han-Sang Kim (Chungbuk National University) Hao-Zhou Sun (Chungbuk National University) Seong Gon Choi (Chungbuk National University) Kwan-Jun Heo (R&D center SK Hynix) Jung-Hyuk Koh (Chung-Ang University) Sung-Jin Kim (Chungbuk National University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.17 No.3
발행연도
2021.1
수록면
222 - 228 (7page)

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We report on a method for fabricating solution-processed triple-multi-stacked indium zinc oxide (IZO) thin-fi lm transistors(TFTs) at a low annealing temperature using an oxygen plasma treatment technique at diff erent RF power levels of 120 W,150 W, 180 W, and 210 W. The oxygen plasma post-treatment is an additional process to optimize the surface state of IZOfi lms and to improve the electrical performance of the TFT device after using a low-temperature solution process insteadof a high-temperature annealing process. The plasma-treated TFT device exhibits improved electrical performance, withmobility of 5.1 ± 0.5 cm 2 /Vs, an on/off ratio of 2.5 × 10 8 , a threshold voltage of 2.6 ± 1.3 V, and a subthreshold swing of0.6 ± 0.1 V/dec when the RF power is 150 W. Therefore, the multi-stacked activity structure and the low RF power plasmapost-treatment process provides a simple and effi cient fabrication method that reduces the processing temperature, improvesthe electrical properties, and can be widely used in fl exible electronic devices.

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