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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 596 - 602 (7page)
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Gallium nitride (GaN) films deposited on sapphire substrates bymetal organic chemical vapor deposition were successfullytransformed into bulk and nanoporous gallium oxide (Ga2O3) using awet thermal oxidation technique. Oxidation depth measurementsconfirmed that the oxide growth appeared to be faster in the case ofnanoporous GaN than that of bulk GaN. Spectroscopic ellipsometrywas used to evaluate and compare the optical properties ofnanoporous and bulk Ga2O3 films, such as refractive index andextinction coefficient, which revealed improved optical properties fornanoporous Ga2O3 compared to the bulk. The simulations conductedon the ellipsometric spectra for bulk and nanoporous Ga2O3 using theForouhi-Bloomer model and the Bruggeman effective mediumapproximation revealed the best fit with a low mean square errorvalue. In the case of nanoporous Ga2O3, zero absorption was observedin the wavelength range of 300 nm to 840 nm, supporting the use ofthis material as a transparent coating in optoelectronic devices.
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