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Jun Hyeok Heo (Kyungpook National University) Sang Ho Lee (Kyungpook National University) Jin Park (Kyungpook National University) So Ra Min (Kyungpook National University) Geon Uk Kim (Kyungpook National University) Ga Eon Kang (Kyungpook National University) Jaewon Jang (Kyungpook National University) Jin-Hyuk Bae (Kyungpook National University) Sin-Hyung Lee (Kyungpook National University) In Man Kang (Kyungpook National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.23 No.1
발행연도
2023.2
수록면
17 - 25 (9page)
DOI
10.5573/JSTS.2023.23.1.17

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In this study, the multiple fin-type vertical GaN power transistor based on the GaN-on-GaN were analyzed using the two-dimensional technical computer-aided design (2-D TCAD) simulations. In the field of the electric vehicle systems requiring a high operation voltage of 1,000 V or more, the power devices have a large device area because of the long distance between the gate region and the drain region. This problem can be addressed by using the fin-type vertical GaN power transistor, which can reduce the device area due to its vertical channel. For the high current performance, the multiple fin-type structure was required. Thus, we investigated characteristics depending on the number of fin (N<SUB>fin</SUB>). By comparing the on-state drain currents (I<SUB>on</SUB>), the breakdown voltages (BV), and the on-resistances (R<SUB>on</SUB>) with different N<SUB>fin</SUB>, this study provides an understanding of the electrical properties of the multiple fin-type vertical GaN power transistor affected by N<SUB>fin</SUB>.
#Gallium nitride (GaN) #vertical device #power device #fin structure

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE AND SIMULATION
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (21)

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Wang, X., Huang, S., Zheng, Y., Wei, K., Chen, X., Zhang, H., & Liu, X. “Effect of GaN channel layer thickness on DC and RF performance of GaN HEMTs with composite AlGaN/GaN buffer.” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 61, no. 5, pp. 1341-1346, Ma google schola K. Hirama, M. Kasu, and Y. Taniyasu, "RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond." IEEE Electron Device Letters, vol. 33, no. 4, pp. 513-515, Apr. 2012. google schola Lee, J. H., Park, C., Kim, K. W., Kim, D. S, and Lee, Lee, J. H. "Performance of Fully Recessed AlGaN/GaN MOSFET Prepared on GaN Buffer Layer Grown With AlSiC Precoverage on Silicon Substrate." IEEE Electron Device Letters, vol. 34, no. 8, pp. 975-977, Au google schola R. Chu., A. Corrion., M. Chen., R. Li., D. Wong., D. Zehnder., B. Hughes., and K. Boutros. "1200-V Normally Off GaN-on-Si Field-Effect Transistors With Low Dynamic on -Resistance." IEEE Electron Device Letters, vol. 32, no. 5, pp. 632-634, May. 2011. google schola M. Ishida., T. Ueda., T. Tanaka., and D. Ueda. “GaN on Si technologies for power switching devices.” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 60, no. 10, pp. 3053-3059, Oct. 2013. google schola

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