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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제18권 제2호
- 발행연도
- 2017.2
- 수록면
- 93 - 97 (5page)
- DOI
- http://dx.doi.org/
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Although GaN has been used in optical materials and power devices, the extent of its application is determined by the crystalquality. Bulk GaN has been reported to produce high-quality GaN. Therefore, it can be used in applications that require highqualitycrystals, such as high-brightness light-emitting diode, power devices, etc. We grew a 2-inch bulk GaN crystal, using thehydride vapor phase epitaxy (HVPE) method, on a sapphire substrate to a thickness of ~5 mm. X-ray diffraction (XRD) wasused to analyze the structure of GaN. Scanning electron microscopy (SEM) was used to measure the etch pits density (EPD)of GaN after wet chemical etching. In addition, high-resolution XRD (HR-XRD) and Raman spectrometry were employed forradius of curvature and residual strains measurements, respectively.
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