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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.10
- 수록면
- 246 - 247 (2page)
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Schottky barrier height (SBH) reduction in metal/semiconductor (MS) contact is the foremost challenge to assure high performance in nanoelectric applications. SBH can be lowered by applying various Fermi-level (FL) unpinning techniques, such as metal/interlayer/semiconductor (MIS) contact structure. Here, we propose MIS contact structure with 2-dimensional Graphene oxide (GO) as an interlayer between metal and n-type Germanium (n-Ge). Current-voltage mea ... 전체 초록 보기
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