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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 177 - 177 (1page)
이용수
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NAND Flash Memory의 data storage cell 형성 과정에서 seam에 의한 제품 불량 방지를 위해 효율적인 oxide gap-fill은 필수적이다. NH<sub>3</sub>, NF<sub>3</sub>를 통한 top 영역의 partial filled oxide etch back이 선행되어야 seam 발생을 억제할 수 있다. Narrow/deep한 cell 구조에서 충분한 sublimation 이 되지 않 ... 전체 초록 보기
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