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저자정보
Kim, Young-Kwan (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) Hyung, Gun-Woo (Department of Materials Science and Engineering, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) Park, Il-Houng (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) Seo, Ji-Hoon (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) Seo, Ji-Hyun (Department of Information Display, Hongik University, Center for Organic Materials and Information Devices, Hongik University) Kim, Woo-Young (Dept. of Digital Display, Hoseo University)
저널정보
한국유화학회 한국유화학회지 한국응용과학기술학회지 제24권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
54 - 60 (7page)

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이 논문에서는 게이트 절연막 위에 vapor deposition polymerization(VDP)방법을 사용하여 성막한 유기 점착층을 진공 열증착하여 유기 박막 트랜지스터(OTFTs)소자를 제작할 수 있음을 증명하였다. 우리가 제작한 Staggered-inverted top-contact 구조를 사용한 유기 박막 트랜지스터는 전기적 output 특성이 포화 영역안에서는 포화곡선을, triode 영역에서는 비선형적인 subthreshold를 확실히 볼 수 있음을 발견했다. $0.2{\mu}m$ 두께를 가진 게이트 절연막위에 유기 점착층을 사용한 OTFTs의 장 효과 정공의 이동도와 문턱전압, 그리고 절멸비는 각각, 약 0.4cm2/Vs, -0.8V, 106 이 측정되었다. 게이트 절연막의 점착층으로써 폴리이미드의 성막을 위해, 스핀코팅 방법 대신 VDP 방법을 도입하였다. 폴리이미드 고분자막은 2,2bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride(6FDA)와 4,4'-oxydianiline(ODA)을 고진공에서 동시에 열 증착 시킨 후, 그리고 $150^{\circ}C$에서 1시간, 다시 $200^{\circ}C$에서 1시간 열처리하여 고분자화된 막을 형성하였다. 그리고 점착층이 OTFTs의 전기적 특성에 주는 영향을 설명하기 위해 비교 연구하였다.

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