Polyethersulfone(PES) 및 유리 기판위에 제작된 PVP 게이트 절연막의 전기적 특성

신익섭; 공수철; 임현승; 박형호; 장호정

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자료유형: 학술저널

저자정보: 신익섭 공수철 임현승 박형호 장호정

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제14권 제1호

발행연도: 2007.1

수록면: 27 - 32 (6page)

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휨성 유기박막트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)를 제작하기 위하여 게이트 절연막으로 PVP(poly-4-vinylphenol) 유기막을 이용하여 MIM (metal- insulator-metal) 구조의 캐패시터 소자를 제작하였다. 유기 절연층의 형성은 Al/PES (polyethersulfone) 기판과 ITO/Glass 기판 위에 PVP를 용질로, PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate)를 용매로 사용하였다. 또한 열경화성 수지인 poly(melamine-co- formaldehyde)를 사용하여 cross-linked PVP 절연막을 합성하여 스핀코팅법으로 소자를 형성하였다. 제작된 소자에 대해 절연막 두께와 기판 종류에 따른 전기적 특성을 조사한 결과 Al/PES 기판을 사용하였을때 누설전류는 1.3 nA로 ITO/glass 기판을 사용했을때의 27.5 nA보다 크게 개선되었다. 또한 제작된 모든 캐패시터 소자의 정전용량은 1.0 ~ 1.2 nF/cm2 범위로 나타났으며 계산값과 매우 유사한 결과를 얻을 수 있었다.

#PES substrate #Gate insulator #Poly-4-vinylphenol #Capacitance #Leakage current

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

/ / Fabrication of thin film transistor on plastic substrate for application to flexible display 47 (7) : 481 ~ 485

/ 1984 / Light-Emitting Field-Effect Transistor Based on a Tetracene Thin Film

/ 1998 / Organic thin-film transistors for organic light-emitting flat-panel display backplanes 4 (1) : 101 ~ 104

/ 2002 / Organic oscillator and adaptive amplifier circuits for chemical vapor sensing 91 : 10140 ~

/ 2003 / Organic transistors using polymeric gate dielectrics 42 : S614 ~ S617

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