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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 47 - 52 (6page)
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본 연구에서는 멀티 레벨 플래쉬 메모리 셀의 프로그램 포화영역에서 트랩된 전하 손실 효과에 의한 데이터 보유 특성에 대한 연구를 진행하였다. Incremental Step Pulse Programming(ISPP) 방식에 의한 전압 인가 시 셀의 문턱 전압은 선형적으로 증가하다 일정 수준 이상의 전압에 도달하면 더 이상 증가 하지 않는 현상을 문턱 전압 포화 현상이라고한다. 이는 프로그램 시 플로팅 게이트에 축적된 전하가 Inter-Poly Dielectric(IPD) 층을 통해 컨트롤 게이트로 빠져 나가는 것에 원인이 있다. 본 연구는 열적 스트레스에 의한 문턱 전압의 보유 특성이 선형 영역에서보다 포화 영역에서 심각하게 저하되는 현상의 원인규명에 대한 연구이다. 이를 평가하기 위해 프로그램 후 데이터 보유(data retention) 특성 평가및 반복 읽기 측정을 진행하였다. 또한 여러 가지 측정 패턴을 이용한 측정 조건 분리 실험을 통해 검증하였다. 그 결과 포화 영역에서의 문턱 전압 저하 특성의 원인은 포화 시 가해진 높은 전압에 의해 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트 사이의인터 폴리 절연막 IPD 층의 질화막에 트랩된 전자의 손실 효과인 것으로 나타났다. IPD 층의 질화막에 전하 트랩 현상이발생하고 열적 스트레스가 가해진 후 트랩된 전하가 다시 빠져 나오면서 문턱 전압의 저하가 발생하고 이는 소자의 신뢰성에 나쁜 영향을 미친다. 낸드 플래쉬 메모리 셀의 프로그램 포화 영역 문턱 전압을 증가시키기 위해서는 질화막에 트랩된 전하의 손실을 고려하여 플로팅 게이트의 전하저장 능력을 향상시켜야 하며 IPD 막에 대한 주의 깊은 설계가 필요하다.
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참고문헌 (18)
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A. Ghetti / 2009 / Comprehensive analysis of random telegraph noise instability and its scaling in deca-nanometer flash memories / IEEE Trans. Electron Device 56 (8) : 1746 ~
C. H. Liu / 2009 / A novel Multi-Nitridation ONO interpoly dielectric (MN-ONO) for highly reliable and high performance NAND Flash memory / International Symposium on VLSI Technol
C. M. Compagnoni / 2008 / Statistical model for random telegraph noise in Flash memories / IEEE Trans. Electron Devices 55 (1) : 388 ~
C. S Pan / 1991 / Physical origin of long-term charge loss in floating-gate EPROM with an interpoly oxidenitride-oxide stacked dielectric / IEEE Electron Device Lett 12 (2)
D. Wellekens / 2008 / Optimization of Al2O2 interpoly dielectric for embedded flash memory applications / Proc. Joint NVSMW/ICMTD 12
C. H. Liu / 2009 / A novel Multi-Nitridation ONO interpoly dielectric (MN-ONO) for highly reliable and high performance NAND Flash memory / International Symposium on VLSI Technol
C. M. Compagnoni / 2008 / Statistical model for random telegraph noise in Flash memories / IEEE Trans. Electron Devices 55 (1) : 388 ~
C. S Pan / 1991 / Physical origin of long-term charge loss in floating-gate EPROM with an interpoly oxidenitride-oxide stacked dielectric / IEEE Electron Device Lett 12 (2)
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