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저자정보
형건우 (홍익대학교 신소재공학과) 양진우 (홍익대학교 정보디스플레이공학과) 이호원 (홍익대학교 정보디스플레이공학과) 구자룡 (홍익대학교 정보디스플레이공학과) 황진하 (홍익대학교 신소재공학과) 김영관 (홍익대학교 정보디스플레이공학과)
저널정보
한국유화학회 한국유화학회지 한국응용과학기술학회지 제27권 제1호
발행연도
2010.1
수록면
50 - 55 (6page)

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본 논문은 메탈 이중층 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터를 제작하여 Au나 Ag 금속만으로 제작한 일반적인 유기 박막 트랜지스터와의 전기적 특성을 비교하였다. 전기적 특성에서 게이트 절연층은 높은 K 값을 갖는 $Al_2O_3$를 사용하였고, 유기 반도체층은 펜타센을 사용하였다. 본 실험에서 제작한 유기 박막 트랜지스터는 $1.6 \;{\times}\;10^{-1}\;cm^2$의 포화영역 이동도를 얻을 수 있었으며, 또한 드레인 전압을 -5V로 하고, 게이트 전압을 3 V에서 -10 V 까지 인가하였을 때 $3{\times}10^5$의 전멸 비를 얻을 수 있었다.

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