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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제19권 제1호
발행연도
2012.1
수록면
75 - 80 (6page)

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DC 마그네트론 스퍼터를 이용하여 InSb 박막을 증착하고 증착온도, 후속 열처리, 증발 차폐막 및 적층구조의영향을 조사 하였다. 증착직후의 InSb 시편에서 증착온도의 증가와 더불어 이동도와 전자농도 모두 거의 선형적으로 증가 하였으며 이동도가 극히 낮은 영역에서의 이동도는 화학양론비보다도 결정립의 크기에 직접적으로 영향을 받는 것으로 확인 되었다. 차폐막이 없는 경우에 비하여 차폐막을 형성시킨 경우 이동도가 크게 증가 하였으며, 또한 적층구조 시편의 경우 In의 증착량 증가와 더불어 이동도가 증가 하였다. 이는 두 경우 모두 박막내의 In과 Sb의 화학양론비가 점차정량에 가까워지기 때문인 것으로 판단된다. 차폐막을 형성시키고 열처리한 시편의 경우 열처리 시간이 길어질수록 박막의 이동도는 증가하고 있으며 박막의 최대 이동도값은 1612 cm2/Vs로 측정 되었다.
#DC magnetron sputtering #InSb #Mobility #Passivation #Multi-layer

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E. B. Dale / 1962 / Annealing effects in evaporated InSb films / Journal of Applied Physics 33 (8) : 2526 ~ google schola J. F. Spivak / 1965 / High-Mobility InSb thin films by recrystallization / Journal of Applied Physics 36 (7) : 2321 ~ google schola J. Heremans / 1993 / Solid state magnetic field sensors and applications / Journal of Physics D 26 (8) : 1149 ~ google schola K. Sugiyama / 1982 / Molecular beam epitaxy of InSb films on CdTe / Journal of Crystal Growth 60 (2) : 450 ~ google schola M. Tomisu / 1996 / Annealing effect of vacuum evaporated InSb films / Vacuum 47 (3) : 242 ~ google schola

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