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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이태일 (청주대학교 전자공학과) 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제6권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
53 - 57 (5page)

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In paper, We evaluated for various diode type ESD protection device using TLP measurement method. An Evaluation diode is divided to Enclosed type and Stripe type as pattern style in extensive. These diodes is split up followed factor that Anode-to-Cathod space, N+ region width, Multi type and Contact to Active space. After a TLP measurement, we can be got the Vt2, It2 by I-V characteristic values. In the results, diode of enclosed type is present relatively higher Current capability(It2) than stripe type in a same voltage conditions. And the Second-breakdown voltage(Vt2) were that Stripe type's diode higher than Enclosed type's diode as have $14{\sim}15V$. Finally we suggest the best diode design condition as ESD protection device using entire consequence.
#TLP #ESD #Protection device #Diode

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