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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2009년도 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2009.11
수록면
1,494 - 1,499 (6page)

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Electrostatic Discharge (ESD) has become one of the most critical reliability issues in integrated circuits. This problem becomes even more crucial when it comes to integrated circuit which deal with high voltage. There is two case of malfunction, one of which is catastrophic failure and the other is latent failure. There are many aspects of ESD failure such as oxide rupture, junction spiking, burn out and filamentation. There are two stress factor about ESD failure which are voltage and current. The form of ESD failure is different from what makes it breakdown. ESD protection circuit is designed to protect from ESD. Diode protection method and using MOS transistor are widely used. This experiment is proceding by MM mode. This study suggests that the limitation of voltage shift on ESD failure, so it is easier to analysis the electrical failure on IC than before.
#ESD(Electrostatic Discharge(정전기 방전) #ESD Protection(ESD 보호소자) #Voltage Shift(전압 변이) #MM(Machine Model) #Micom IC(마이컴 IC)

목차

Abstract
1. 서론
2. ESD 고장 메커니즘
3. ESD 보호회로
4. ESD 시험
5. 결론
참고문헌

참고문헌 (0)

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