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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
곽재창 (Seokyeong University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제24권 제3호
발행연도
2020.9
수록면
890 - 894 (5page)

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본 논문에서는 대표적인 ESD 보호소자인 LVTSCR의 구조적 변화를 통해 높은 홀딩전압 특성을 가지는 ESD 보호소자를 제안한다. 제안된 ESD 보호소자는 병렬 PNP path와 긴 N+ drift 영역을 삽입하여 기존의 LVTSCR보다 높은 홀딩전압을 가지며, 일반적인 SCR 기반 ESD보호소자의 단점인 Latch-up 면역특성을 향상시킨다. 또한 기생 BJT들의 유효 베이스 폭을 설계변수로 설정하였으며, N-Stack 기술을 적용하여 요구되는 application에 적용할 수 있도록 시놉시스사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 제안된 ESD 보호소자의 전기적 특성을 검증하였다.

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References

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