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자료유형
학술저널
저자정보
김병국 (충주대학교 전자공학과) 김정연 (충주대학교 전자공학과) 오병진 (충주대학교 전자공학과) 임동건 (충주대학교 전자공학과) 박재환 (충주대학교 전자공학과) 우덕현 (충주대학교 신소재공학과) 권순용 (충주대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제20권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
175 - 180 (6page)

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Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used for optoelectronic applications. Among TCO materials, zinc oxide (ZnO) has been studied extensively for its high optical transmission and electrical conduction. In this study, the effects of $O_2$ plasma pretreatment on the properties of Ga-doped ZnO films (GZO) on polyethylene naphthalate (PEN) substrate were studied. The $O_2$ plasma pretreatment process was used instead of conventional oxide buffer layers. The $O_2$ plasma treatment process has several merits compared with the oxide buffer layer treatment, especially on a mass production scale. In this process, an additional sputtering system for oxide composition is not needed and the plasma treatment process is easily adopted as an in-line process. GZO films were fabricated by RF magnetron sputtering process. To improve surface energy and adhesion between the PEN substrate and the GZO film, the $O_2$ plasma pre-treatment process was used prior to GZO sputtering. As the RF power and the treatment time increased, the contact angle decreased and the RMS surface roughness increased significantly. It is believed that the surface energy and adhesive force of the polymer surfaces increased with the $O_2$ plasma treatment and that the crystallinity and grain size of the GZO films increased. When the RF power was 100W and the treatment time was 120 sec in the $O_2$ plasma pretreatment process, the resistivity of the GZO films on the PEN substrate was $1.05\;{\times}\;10^{-3}{\Omega}-cm$, which is an appropriate range for most optoelectronic applications.
#transparent conducting oxide #RF magnetron sputtering #PEN substrate #ZnO #$O_2$ plasma

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