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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제9호
발행연도
2010.1
수록면
685 - 690 (6page)

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ZnO with the wide band gap near 3.37 eV is typically an n-type semiconductor in which deviation from stoichiometry is electrically active. It was known that the films with a resistivity of the order of 10-4 Ωcm is not easy to obtain. In order to improve electrical characteristic of ZnO, we added 1, 3, 5 wt% Ga element in ZnO. The Ga-doped ZnO (GZO) was grown on a glass substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering at the temperature range from 100 to 500℃. X-ray diffraction (XRD) patterns of GZO films showed preferable crystal orientation of (002) plane. The lowest resistivity of the GZO films was 8.9×10-4 Ωcm. GZO films significantly influenced by the working temperature. The average transmittance of the films was over 80% in the visible ranges.
#GZO #Crystal orientation #Resistivity #Transmittance

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A. Miyake / 2009 / / Thin Solid Films 517 : 3130 ~ google schola H. Sato / 1993 / / J. Vac. Sci. Techol. A 11 : 2975 ~ google schola M. Hiramatsu / 1998 / / J. Vac. Sci. Technol. A 16 : 669 ~ google schola T. Minami / 2005 / / Semicond. Sci. Technol. 20 : S35 ~ google schola X. Wang / 2008 / / Nano Lett. 8 : 323 ~ google schola

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