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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제5호
발행연도
2010.1
수록면
374 - 378 (5page)

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The effects of O2 plasma pretreatment on the properties of Ga-doped ZnO films on polyimide substrate were studied. GZO films were fabricated by RF magnetron sputtering process. To improve surface energy and adhesion between the polyimide substrate and the GZO film, O2 plasma pretreatment process was used prior to GZO sputtering. As the RF power and the treatment time increased, the crystallinity increased and the contact angle decreased significantly. When the RF power was 100 W and the treatment time was 120 sec, the resistivity of GZO films on the polyimide substrate was 1.90×10-3 Ω-cm.
#Transparent conducting oxide #RF magnetron sputtering #Polyimide substrate #ZnO #O2 plasma

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B. D. Ahn / 2009 / / Thin Solid Films 517 : 6414 ~ google schola D. K. Hwang / 2002 / / 전기전자재료학회논문지 15 : 35 ~ google schola E. Fortunato / 2003 / / Thin Solid Films 442 : 121 ~ google schola Z. L. Pei / 2006 / / Thin Solid Films 497 : 20 ~ google schola 마승락 / 2005 / 유연성 디스플레이 기판 소재용 투명성 폴리이미드의 합성 및 그의 나노복합화에 대한 연구 / 폴리머 29 (2) : 204 ~ 210 google schola

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