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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.1
- 수록면
- 303 - 308 (6page)
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본 연구의 목적은 터치패널 센서 및 태양 전지 등에서 사용할 ITO 대체 투명전극으로 활용하기 위한 Ga이 첨가된 ZnO(GZO) 박막의 광학적 및 전기적 특성을 향상시키는데 있다. RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 200℃의 온도 및 10 mtorr의 압력에서 200 nm 두께의 GZO 박막을 증착할 경우 높은 결정성의 영향으로 89%의 투과율과 2.0 mΩ.cm의 비저항 값을 얻었다. 더욱 높은 투과율 및 낮은 비저항을 얻기 위해 Al_2O_3 버퍼층을 도입하였는데, 버퍼층으로 Al_2O_3을 고려한 이유는 높은 전기적 절연성 및 우수한 화학적 안정성을 가지고 있어 투명전극 패턴 공정 시에 열화되지 않을 것으로 예상되기 때문이다. Al_2O_3 버퍼층을 적용한 GZO/Al_2O_3 적층 구조의 우수한 광학적 투과도를 위하여 광학적 전산모사를 실시한 결과, 최적화된 Al_2O_3 버퍼층의 두께는 150 nm이었다. Al_2O_3 버퍼층을 사용하여 GZO 박막을 증착할 경우 비저항의 큰 변화 없이 550 nm의 파장을 기준으로 90.7% 의 높은 투과율을 보였다. 또한, GZO 박막의 비저항은 Al_2O_3 버퍼층 증착시 O_2/(Ar+O_2) 분압 비율에 의존하는데, 이는 GZO 박막과 Al_2O_3 박막층 계면에서 Al 원자 성분의 확산에 의해서 GZO 박막의 캐리어 농도가 변화하기 때문인 것으로 판단된다.
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