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학술저널
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권준영 (충북대학교 전기공학과) 한규민 (충남대학교 전자.전파.정보통신공학부) 최성진 (충남대학교 전자.전파.정보통신공학부) 송희은 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 유진수 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 유권종 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 김남수 (충북대학교 전자공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제20권 제12호
발행연도
2010.1
수록면
649 - 653 (5page)

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In this paper, double texturization of multi crystalline silicon solar cells was studied with laser and reactive ion etching (RIE). In the case of multi crystalline silicon wafers, chemical etching has problems in producing a uniform surface texture. Thus various etching methods such as laser and dry texturization have been studied for multi crystalline silicon wafers. In this study, laser texturization with an Nd:$YVO_4$ green laser was performed first to get the proper hole spacing and $300{\mu}m$ was found to be the most proper value. Laser texturization on crystalline silicon wafers was followed by damage removal in acid solution and RIE to achieve double texturization. This study showed that double texturization on multi crystalline silicon wafers with laser firing and RIE resulted in lower reflectance, higher quantum yield and better efficiency than that process without RIE. However, RIE formed sharp structures on the silicon wafer surfaces, which resulted in 0.8% decrease of fill factor at solar cell characterization. While chemical etching makes it difficult to obtain a uniform surface texture for multi crystalline silicon solar cells, the process of double texturization with laser and RIE yields a uniform surface structure, diminished reflectance, and improved efficiency. This finding lays the foundation for the study of low-cost, high efficiency multi crystalline silicon solar cells.

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