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저자정보
ParkKo, Sang-Hee (Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Hwang, Chi-Sun (Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Kwack, Ho-Sang (Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Kang, Seung-Youl (Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Lee, Jin-Hong (Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Chu, Hye-Yong (Basic Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Lee, Yong-Eui (Display Device Center, Device Solution Network, Samsung Electronics Co., Ltd.)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
1,564 - 1,567 (4page)

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Zinc oxide thin films were grown at the t emperature of $100^{\circ}C$ and $150^{\circ}C$ by means of plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) and conventional atomic layer deposition for applying to the transparent thin film transistor (TTFT). The growth rate of $1.9{\AA}/cycle$ with oxygen plasma is similar to that of film grown with water. While the sheet resistivity of ZnO grown with water is 1233 ohm/sq, that of film grown with oxygen plasma was too high to measure with 4 point probe and hall measurement system. The resistivity of the films grown with oxygen plasma estimated to be $10^6$ times larger than that of the films grown with water. The difference of electrical property between two films was caused by the O/Zn atomic ratio. We fabricated ZnO-TFT by means of ALD for the first time and the ZnO channel fabricated with water showed saturation mobility of $0.398cm^2/V{\cdot}s$ with bottom gate configuration.

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