ZnO-based thin-film transistor inverters using top and bottom gate structures

Oh, Min-Suk; Kim, Yong-Hoon; Park, Sung-Kyu; Han, Jeong-In; Lee, Ki-Moon; Im, Seong-Il; Lee, Byoung-H.; Sung, Myung-M.

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저자정보: Oh, Min-Suk (Flexible Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Kim, Yong-Hoon (Flexible Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Park, Sung-Kyu (Flexible Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Han, Jeong-In (Flexible Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Lee, Ki-Moon (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University) Im, Seong-Il (Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University) Lee, Byoung-H. (Department of Chemistry, Hanyang University) Sung, Myung-M. (Department of Chemistry, Hanyang University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 461 - 463 (3page)

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We report on the fabrication of ZnO-based thin-film transistor (TFT) inverters with top and bottom gate structures with $Al_2O_3$ dielectrics grown by atomic layer deposition (ALD). Since the top gate ZnO-based TFT showed somewhat lower field effect mobility than that of the bottom gate device, our ZnO-based TFT inverters were designed with identical dimensions for both channels. This TFT inverter device demonstrated an high voltage gain at a low supply voltage of 5 V and clear dynamic behavior.

#ZnO TFTs #top-gate #bottom-gate #inverter

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