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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
하정민 (삼성전자 반도체부문 기반기술센터) 신홍재 (삼성전자 반도체부문 기반기술센터) 이수웅 (삼성전자 반도체부문 기반기술센터) 김영욱 (삼성전자 반도체부문 기반기술센터) 이정규 (삼성전자 반도체부문 기반기술센터)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제3권 제2호
발행연도
1993.1
수록면
166 - 174 (9page)

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반도체 소자의 표면 보호용으로 사용되는 상압 CVD 방법에 의한 PSG(Phosposilicate glass)막 및 플라즈마 CVD방법에 의한 PE-SiN(Plasma enhanced CVD S${i_2}{N_4}$)막의 항균열 특성을 알루미늄박막이 증착되어 있는 실리콘 기판위에서 조사했다. 45$0^{\circ}C$에서 30분간으 열처리를 반복하면서 균열 발생 유무 및 그 형태를 조사하여 이러한 균열의 생성을 각 막의 막응력과 관련하여 검토하였다. 이들 박막에서의 균열 발생은 하부 조직인 알루미튬배선과의 열팽창계수차에 의한 것임을 알 수 있었다. PSG막 두께가 증가할수록 인장응력이 증가하여 항균열성이 저하되었다. PSG막의 P농도가 증가할수록 막응력은 압축응력쪽으로 이동하였고 균열 발생은 억제되었다. PE-SiN 막도 높은 압축응력을 갖게 함으로써 항균열성을 향상시킬 수 있었다. 본 실험의 결과로부터 반복 열처리시 균열 발생여부에 대한 실험식을 제시하였다.

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