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In order to investigate the potassium (K) gettering, Al-1%Si/SiO₂/PSG multilevel thin films were fabricated. Al-1%Si thin films and SiO₂/PSG passivations were deposited by using DC magnetron sputter techniques and APCVD (atmosphere pressure chemical vapor deposition), respectively. Heat treatment was carried out at 300℃ for 5 h in air. SIMS (secondary ion mass spectrometry) depth profiling analysis was used to determine the distribution of K, Al, Si, P, and other elements throughout the SiO₂/PSG passivated Al-1%Si thin film interconnections. Potassium peaks were observed throughout the SiO₂/PSG passivation layers, and especially the interface gettering at the SiO₂/PSG and at the Al-1%Si/SiO₂ interfaces was observed. Potassium gettering in Al-1%Si/SiO₂/PSG multilevel thin films is considered to be caused by a segregation type of gettering.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (14)
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[학술지(정기간행물)] - G. Kissinger / 2015 / / ESC J. Solid State Sci. and Technol 4 : N124 ~
[학술지(정기간행물)] - 김진영 / 2013 / PSG/SiO2 보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선에서의 Sodium과 수분 게터링에 관한 연구 / 한국진공학회지 22 (3) : 126 ~ 130
[학술지(정기간행물)] - S. Krivec / 2010 / / Surf. Interface Anal 42 : 886 ~
[학술지(정기간행물)] - S. H. Garofalini / 1988 / / J. Vac. Sci. Technol. A 6 : 975 ~
[단행본] - S. M. Sze / 1981 / Physics of Semiconductor Devices / John Wiley and Sons : 35 ~
[학술지(정기간행물)] - 김진영 / 2013 / PSG/SiO2 보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선에서의 Sodium과 수분 게터링에 관한 연구 / 한국진공학회지 22 (3) : 126 ~ 130
[학술지(정기간행물)] - S. Krivec / 2010 / / Surf. Interface Anal 42 : 886 ~
[학술지(정기간행물)] - S. H. Garofalini / 1988 / / J. Vac. Sci. Technol. A 6 : 975 ~
[단행본] - S. M. Sze / 1981 / Physics of Semiconductor Devices / John Wiley and Sons : 35 ~
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