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In order to investigate the Na gettering, PSG/SiO₂/Al-1%Si multilevel thin films were fabricated. DC magnetron sputter techniques and APCVD (atmosphere pressure chemical vapor deposition) were utilized for the deposition of Al-1%Si thin films and PSG/SiO₂ passivations, respectively. Heat treatment was carried out at 300℃ for 5 h in air. SIMS (secondary ion mass spectrometry) depth profiling and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) analysis were used to determine the distribution and binding energies of Na, Al, Si, O, P and other elements throughout the PSG/SiO₂/Al-1%Si multilevel thin films. Na peaks were mainly observed at the the PSG/SiO₂ interface and at the SiO₂/Al-1%Si interfaces. Na impurity gettering in PSG/SiO₂/Al-1%Si multilevel thin films is considered to be caused by a segregation type of gettering. The chemical state of Si and O elements in PSG passivation appears to be SiO₂.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (11)
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[학술지(정기간행물)] - M. Al-Amin / 2016 / Increasing minority carrier lifetime in as-grown multicrystalline silicon by low temperature internal gettering / J. Appl. Phys 119 : 235704 ~
[학술지(정기간행물)] - G. Kissinger / 2015 / Investigation of the copper gettering mechanism of oxide precipitates in silicon / ESC J. Solid State Sci. and Technol 4 : N124 ~ N129
[학술지(정기간행물)] - S. Krivec / 2010 / Voltage-assisted sodium ion incorporation and transport in thin silicon dioxide films / Surf. Interface Anal 42 : 886 ~ 890
[학술지(정기간행물)] - 최광수 / 2004 / 실리콘 Instrinsic Gettering 기술의 이해와 응용 / 한국재료학회지 14 (1) : 9 ~ 12
[학술지(정기간행물)] - 김진영 / 2015 / Al-1%Si/SiO2/PSG 적층 박막에서 potassium 게터링에 관한 연구 / 한국표면공학회지 48 (5) : 233 ~ 237
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