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자료유형
학술저널
저자정보
백창현 (충북대학교 공과대학 재료공학과) 홍주화 (충북대학교 공과대학 재료공학과) 위명용 (충북대학교 공과대학 재료공학과)
저널정보
한국열처리공학회 열처리공학회지 열처리공학회지 제18권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
229 - 234 (6page)

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Effect of incident ion beam energy on microstructure and adhesion behavior of TiN thin films were studied. Without ion beam assist, TiN film showed (111) growth mode which was thought to have the lowest deformation energy. As the ion beam assist energy increased, TiN film growth mode was changed from (111) to (200) mode. On the Si(100) substrate the critical incident energy for growth mode change was 100 eV/atom, however the critical assist energy was 121 eV/atom on the STD61 substrate. Grain size of TiN films increased with the assist ion beam energy. Finally, adhesion strength of TiN films bombarded above the critical ion assist energy showed 4~5 times higher values than that with lower bombard ion energy.
#Ion beam #Assist energy #TiN #Film orientation #Scratch test

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