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학술저널
저자정보
이건호 (실트론[주] 기술연구소) 김인정 (실트론[주] 기술연구소) 배소익 (실트론[주] 기술연구소)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제4권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
13 - 17 (5page)

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The behavior of ozone in $NH_4OH$ was investigated to evaluate the solution as a cleaning chemical of the silicon wafer. The solubility of ozone in DI(Deionized) water increased as the oxygen flow-rate decreased and ozone generator power increased. Ozone in DI water showed solubility of 100 ppm or higher at room temperature. Ozone concentration was stabilized at the range of ${\pm}2ppm$ by controlling oxygen flow rate and ozone generator power. On the contrary, the solubility of ozone in $NH_4OH$ was very low and strongly depended on the concentration of $NH_4OH$ and pH. The redox potential of ozone was saturated within 10 minutes in DI water and decreased rapidly with the addition of $NH_4OH$. The behavior of ozone in $NH_4OH$ is well explained by redox potential calculation.
#Ozone #$NH_4OH$ #Wafer Cleaning #Ozone concentration #Redox potential #pH

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