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학술저널
저자정보
이상호 (한양대학교 재료화학공학부) 이승호 (한양대학교 재료화학공학부) 김규채 (한양대학교 재료화학공학부) 권태영 (한양대학교 재료화학공학부) 박진구 (한양대학교 재료화학공학부) 배소익 ([주]LG실트론 기술연구소) 이건호 ([주]LG실트론 기술연구소) 김인정 ([주]LG실트론 기술연구소)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제4권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
19 - 26 (8page)

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2005

반도체 습식 세정 공정 중 상온의 초순수와 염기성 수용액 내에서 오존의 용해도 최적화
이상호 ,  이승호 ,  김규채 외 5명 반도체및디스플레이장비학회지 2005.01 학술저널

2003

반도체 습식 세정 공정 중 IPA와 초순수 혼합 용액에서의 웨이퍼 건조 및 오염 입자 제거 효과
이상호 ,  류주석 ,  박진구 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

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The process optimization of ozone concentration and half life time was investigated in ultra pure water and alkaline solutions for the wet cleaning of silicon wafer surface at room temperature. In the ultra pure water,. the maximum concentration (35 ppm) of ozone was measured at oxygen flow rate of 3 liters/min and ozone generator power over 60%. The half life time of ozone increased at lower power of ozone generator. Additive gases such as $N_2$ and $CO_2$ were added to increase the concentration and half life time of ozone. Although the maximum ozone concentration was higher with the addition of $N_2$ gas, a longer half life time was observed with the addition of $CO_2$. When $NH_4OH$ of 0.05 or 0.10 vol% was added in DI water, the pH of the solution was around 10. The addition of ozone resulted in the half life time less than 1 min. In order to maintain high pH and ozone concentration, ozone was continuously supplied in 0.05 vol% ammonia solutions. 3 ppm of ozone was dissolved in ammonia solutions. The static contact angle of silicon wafer surface became hydrophilic. The particle removal was possible alkaline ozone solutions. The organic contamination can be removed by ozonated ultra pure water and then alkaline solution containing ozone can remove the particles on silicon surface at room temperature.
#Semiconductor Cleaning #Ozone #Solubility #Half Life Time

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