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학술저널
저자정보
최은석 ([주]실트론 기술연구소) 배소익 ([주]실트론 기술연구소)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제16권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
75 - 79 (5page)

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The effect of ozone and/or ultrasound treatments on the efficiency of slurry removal in post sliced cleaning (PSC) of silicon ingot was studied. Efficiency of slurry removal was evaluated as functions of time, temperature and surfactant with DOE (Design of Experiment) method. Residual slurries were observed on the wafer surface in case of cleaning by ozone or ultrasound separately. However, a clean wafer surface was appeared when cleaned with ozone and ultrasound simultaneously. It has found that cleaning time was the main effect among temperature, time and surfactant. Elevated temperature, addition of surfactant and high ozone concentration helped to accelerate efficient removal of slurry. The improvement of removal efficiency seems to be related to the formation of more active OH radicals. The highly cleaned surface was achieved at 10 wt% ozone, 1 min and 10 vol% surfactant with ultrasound. Application of ozone and ultrasound might be a useful method for PSC process in wafer cleaning.

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