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자료유형
학술저널
저자정보
장지근 (단국대학교 전자공학과) 윤진모 (단국대학교 전자공학과) 정진철 (단국대학교 전자공학과) 김민영 (단국대학교 전자공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제10권 제2호
발행연도
2000.1
수록면
124 - 127 (4page)

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Si FEA로부터 tip의 표면을 Ti 금속으로 silicidation한 새로운 3극형 Ti-silicided Si FEA를 제작하고 이의 전계 방출특성을 조사하였다. 제작된 소자에서 단위 pixel(pixel area : $1000{\mu\textrm{m}}{\times}1000{$\mu\textrm{m}}$, tip array : $200{\mu\textrm{m}}{\times}200{$\mu\textrm{m}}$</TEX>)을 통해 측정된 전계 방출 특성은 $10^8Torr$의 고진공 상태에서 turn-on 전압이 약 70V로, 아노드 방출전류의 크기와 current degradation이 $V_A=500V,\;V_G=150V$ 바이어스 아래에서 각각 2nA/tip와 0.3%/min로 나타났다. 3극형 Ti-silicided Si FEA의 낮은 turn-on 전압과 높은 전류안정성은 Si tip 표면에 형성된 실리사이드 박막의 열화학적 안정성과 낮은 일함수에 기인하는 것으로 판단된다.
#Ti-silicided Si FEA #turn-on voltage #field emission current #silicidation #stability

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